cbb电容和cl电容之间的区别分析
损耗:cbb电容和cl电容在外形上差别不大,但在损耗这一电性能上差别较大。涤纶电容器的损耗较大,在1khz时典型值约为50×10-4,与纸介电容器相当。聚电容器的损耗(1khz),指标大约是10×10-4,实际上一般小于5×10-4,约为涤纶电容器的十分之一。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
电容的两个极片中间有介质,扬州电容,然后被壳体将电容极片、介质进行封装,事实上,封装的壳体不会的致密,就给潮气进入供给了或许。举例,耐压在50v的安规电容,潮气进入了,cbb81电容,在电容两头加5v电压的时分,附着在介质上的潮气就成了一个漏电流通道,但由于电压低,cbb28电容,这个漏电流并不很大,通路阻抗上发生的热量也并不大,不---将水汽加热蒸腾掉,但损坏电容的储能特性是足够了。所以,电容失效了。
安规电容与cbb电容的差异,能够首先从如下几点来入手:
1、陶瓷电容是针对高频高压运用的瓷介电容器,cbb22电容,其间额定电压为400v和250v的电容,别离命名为y1、y2电容,即安规瓷片电容。
2、cbb电容归于薄膜电容。依据经验,许多厂家就用聚---金属薄膜电容。
3、cbb无极电容是一种资料和工艺出产出来的(聚丙
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